ОЗУ Samsung 3rd, CL19, 1.2V (K4A8G045WC-BCTD/16) 16GB DDR4-2666 PC4-21300
Цены для физических и юридических лиц могут отличаться
Описание
Общие характеристики
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 МБ/с
Объем 1 модуль 16 ГБ
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Дополнительно
Напряжение питания 1.2 В